До недавних пор максимальная ёмкость любого модуля памяти, даже самого современного серверного DDR4 RDIMM, была ограничена цифрой 64 Гб. Но Samsung объявила о начале массового производства модулей DDR4 RDIMM объёмом 128 Гб. Речь идёт о регистровых модулях, не предназначенных для использования в обычных настольных ПК. Создание таких модулей стало возможным благодаря наработкам Samsung в области многослойных технологий; в частности, в новых модулях используется вертикальная компоновка из нескольких кристаллов DRAM, соединённых при помощи технологии TSV (Through Silicon Via).

Как заявляет производитель, это первые в отрасли модули регистровой памяти DDR4 такого объёма, в которых применяются сквозные металлизированные межслойные соединения. Контакты между чипами сделаны не с помощью традиционных дорожек, а непосредственно через сотни небольших отверстий в вертикально расположенных чипах памяти. Это позволяет добиться не только большей компактности, но и повысить скорость передачи данных. Данная память ориентирована, прежде всего, на применение в серверном оборудовании. Каждый модуль содержит 36 микросхем памяти, представляющих из себя сборку из четырёх кристаллов объёмом 8 Гбит. Несложно сосчитать, что на модуль приходится 144 кристалла памяти, для их производства Samsung применяет 20-нм техпроцесс.

Модуль 128 Гб DDR4 является энергоэкономичным решением для серверов нового поколения. По данным Samsung, эта память может обеспечивать скорость до 2400 Мбит/с, что позволяет увеличить производительность почти в два раза, снизив энергопотребление на 50% по сравнению с ранее выпущенными модулями DRAM высокой емкости — 64 Гб LRDIMM, в которых пакетные стеки из четырех чипов имеют ограничения по питанию и скорости в связи с использованием традиционного проводного монтажа. В будущем Samsung обещает выпустить память, обеспечивающую более высокую скорость передачи данных — DDR4-2667 и DDR4-3200.

Версия для печати (без изображений)