Samsung Electronics объявила о старте серийного производства модулей памяти LPDDR3 (low power double data rate 3) DRAM емкостью 3 Гб для мобильных устройств. Они предназначены для смартфонов следующего поколения и станут новой вехой на пути перехода рынка с 2-Гб микросхем памяти, которые широко используются в современных мобильных устройствах сейчас, к решениям с большей емкостью.

Новинка Samsung представляет собой шесть 20-нм микросхем памяти типа LPDDR3, заключенных в корпусе толщиной 0,8 мм. Скорость передачи данных в 20-нм чипах Samsung достигает 2133 Мбит/с. Габаритные размеры модулей памяти незначительные, что оставляет больше места для более емкой батареи. Благодаря увеличению емкости модуля памяти DRAM для мобильных устройств, пользователи смогут просматривать Full HD-видео в высоком качестве без каких-либо задержек воспроизведения, а также более комфортно работать со смартфонами в режиме многозадачности. Новые чипы памяти LPDDR3 отличаются большей скоростью загрузки данных и обеспечивают полную поддержку LTE-A (LTE Advanced) — стандарта мобильной связи следующего поколения. По слухам, смартфон Samsung Galaxy Note 3 получит 3 Гб оперативной памяти.

Новые чипы начнут использоваться в наиболее современных смартфонах, начиная со второго полугодия 2013 г. С 2014 г. они станут применяться в более широком перечне мобильных устройств.

Версия для печати (без изображений)