Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в индустрии 128-Гб чипов сверхбыстрой встраиваемой памяти на базе стандарта Universal Flash Storage (UFS) 2.0, предназначенных для использования в составе следующего поколения флагманских смартфонов. Поддержка новыми чипами современного последовательного интерфейса UFS 2.0, недавно стандартизированного отраслевым комитетом JEDEC, позволит ускорить появление ёмких и быстрых UFS-решений на рынке мобильных устройств, обеспечивая прирост производительности, поддержки UHD-контента и эффективных сценариев многозадачности при одновременном снижении энергопотребления.

Новая встраиваемая память Samsung с интерфейсом UFS будет представлена вариантам ёмкостью 128, 64 и 32 Гб, что вдвое превышает объём типичных на сегодняшний день решений линейки eMMC. Благодаря тому, что интерфейс UFS поддерживает с SSD технологию ускорения исполнения команд «Command Queue» через последовательный интерфейс, появляется возможность значительного увеличения скорости обработки данных по сравнению с традиционным 8-разрядным параллельным интерфейсом eMMC. В результате, новые чипы встраиваемой памяти Samsung с интерфейсом UFS способны развивать скорость обмена данными до 19 тыс. IOPS в режиме случайной выборки, что в 2,7 раза быстрее, чем скорость широко распространённого на сегодняшний день во флагманских смартфонах интерфейса eMMC 5.0. Скорость случайного чтения для чипов встраиваемой памяти с интерфейсом UFS достигает 14000 IOPS, что в 28 раз превышает скорость чтения для обычных карт памяти.

Рост скорости последовательного чтения и записи до уровней, более характерных для SSD, позволяет добиться практически 50%-ного снижения потребления энергии. Помимо этого, скорость чтения при случайной выборке, превышающая показатели типичных флэш-карт памяти в 12 раз (порядка 1500 IOPS), благоприятно отражается на общем росте производительности всей мобильной системы.

По мнению Samsung, в ближайшем будущем решения с интерфейсом UFS останутся единственным приемлемым предложениям для верхнего сегмента рынка мобильных устройств, в то время как решения с интерфейсом eMMC останутся востребованы в сегментах массовых и бюджетных решений. Новые чипы встраиваемой памяти Samsung с интерфейсом UFS выпускаются в исполнении класса «пакет в упаковке» (package-on-package, ePoP), что позволяет размещать их непосредственно над чипами логики и позволяет сократить площадь размещения микросхем на 50%.

По мнению ряда профильных специалистов, новые 128-Гб чипы сверхбыстрой памяти UFS дебютируют во флагманских смартфонах Galaxy S6 и Galaxy S6 Edge, которые, как ожидается, будут представлены 1 марта на конференции MWC 2015 в Барселоне.

Версия для печати (без изображений)