Samsung Electronics приступила к массовому производству первых в отрасли микросхем памяти DRAM LPDDR4 объемом 12 Гбит для мобильных устройств. На сегодня такие модули обеспечивают наибольшую плотность и наивысшую скорость памяти, доступную на сегодняшний день для чипов DRAM. При этом, как заверяет производитель, новинка отличается высокой энергоэффективностью, надежностью и простым дизайном, что немаловажно для разработки следующего поколения мобильных устройств.

Новые чипы можно размещать по две или четыре штуки в одном корпусе, обеспечив тем самым создание модуля ОЗУ объемом 3 и 6 Гб соответственно. При этом размер последнего не превысит габаритов 3-Гб памяти в современных флагманах. Это позволит не экономить на оперативной памяти во все сокращающемся пространстве внутри корпуса современных девайсов. Samsung заявляет, что первые флагманы мобильной электроники с 6 Гб оперативной памяти дебютируют уже в следующем году.

Также нелишне вспомнить, что мобильные платформы Intel также поддерживают память LPDDR4, что позволит встраивать высокоёмкие микросхемы Samsung в планшеты и ноутбуки на процессорах Intel.

Скорость передачи данных, обеспечиваемая новой памятью, достигает 4266 Мбит/с, что на 30% больше по сравнению с 8-Гбит чипами LPDDR4, а также вдвое выше скорости памяти DDR4-2133 для ПК. При этом энергопотребление нового решения на 20% меньше. Кроме того, Samsung отмечает, что с выпуском чипов памяти LPDDR4 емкостью 12 Гбит ему удалось вдвое увеличить объемы производства для удовлетворения растущего спроса на высокопроизводительную память для мобильных устройств.

Samsung считает, что новая память LPDDR4 найдет применение не только в смартфонах и планшетах, но и в ультратонких мобильных ПК, а также в цифровом оборудовании различного назначения, включая бортовые системы «умных» автомобилей.

Помимо модулей LPDDR4 емкостью 8 и 12 Гбит, Samsung выпускает модули на 6 и 4 Гбит.

Версия для печати (без изображений)