Недавно Samsung анонсировала массовый выпуск 8-Гб модулей памяти типа DDR4, изготовляемых по 10-нм техпроцессу. Как пишет издание CNet, эта память может найти применение в iPhone 7, который, как ожидается, будет представлен осенью этого года. Переход на более совершенный техпроцесс и массовое производство позволят снизить стоимость памяти, но важным для потребителя будет не только это: дело в том, что новые смартфоны с DDR4 должны быть ощутимо производительнее и потреблять меньше энергии.

Нужно заметить, что формулировка «10-нм техпроцесс» не обязательно означает именно 10-нм техпроцесс: формально к этому классу относится и 19 нм. По сведениям некоторых источников, не исключен выпуск 8-Гб модулей Samsung по 18-нм технологии.

Освоение нового техпроцесса потребовало от компании преодоления ряда технических барьеров. Например, в условиях отсутствия соответствующего оборудования для литографии со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV), пришлось совершенствовать имеющиеся методы. Погружная литография с применением аргонового лазера, четырёхкратное использование шаблонов и напыление сверхтонкого слоя диэлектрика — эти новшества Samsung удалось применить при выпуске микросхем DDR4 по технологии 10-нм класса.

Новые технологии позволили не только увеличить скорость передачи данных до 3200 Мбит/с, но и снизить уровень энергопотребления на 10-20% по сравнению с аналогичными микросхемами 20-нм поколения. Samsung является единственным поставщиком оперативной памяти для iPhone 6s и 6s Plus, в которой реализована технология 20-нм класса.

Версия для печати