Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска первых в отрасли микросхем памяти LPDDR4 DRAM объемом 8 Гб. Модуль предназначен для топовых смартфонов, ультратонких ноутбуков и планшетов. Он включает четыре 16-Гбит чипа LPDDR4 10-нм класса, изготавливаемых с использованием технологических норм от 10 до 20 нм. LPDDR4 DRAM позволяет передавать данные на скорости до 4266 Мбит/с, что в два раза быстрее в сравнении с DDR4 SDRAM-памятью для персональных компьютеров, которая, как правило, работает на скорости до 2133 Мбит/с. Samsung считает, что новая память значительно улучшит работу с мобильными устройствами, особенно с Ultra HD-экранами.

По словам производителя, новый чип потребляет примерно столько же электроэнергии, сколько и 20-нм микросхемы предыдущего поколения объемом 4 Гб. Габаритные размеры модуля составляют всего 15×15×1 мм, его можно размещать непосредственно над процессором или UFS-памятью для экономии места на системной плате.

О том, когда данная DRAM появится в потребительской электронике, представители компании не сообщили. Не исключено, что 8-Гб модули оперативной памяти появится в Galaxy S8, который будет представлен в начале следующего года.

Версия для печати (без изображений)