Samsung Electronics сообщила о расширении сотрудничества в сфере микроэлектронного производства с Qualcomm Technologies, дочерним предприятием компании Qualcomm Incorporated. Стороны займутся разработкой новейшего процессора в серии Snapdragon — Qualcomm Snapdragon 835 — на базе техпроцесса Samsung 10-нм FinFET.

«Мы рады продолжить совместную с Samsung разработку лучших на рынке продуктов, — сказал Кит Крессин (Keith Kressin), первый вице-президент подразделения по управлению продуктовым производством Qualcomm Technologies. — Мы ожидаем, что использование технологий Samsung Electronics обеспечит энергоэффективность и производительность нового топового процессора Snapdragon 835, а также позволит снабдить его функциями, которые будут важны для пользователей мобильных устройствами в будущем».

В октябре 2016 года Samsung Electronics анонсировала начало массового производства по техпроцессу 10-нм FinFET. По сравнению с предыдущим решением — 14-нм FinFET — 10-нм от Samsung увеличивает эффективную площадь поверхности на 30%, производительность — на 27%, а также обеспечивает снижение потребления энергии на 40%. Применение 10-нм FinFET в процессоре Snapdragon 835 позволяет уменьшить размеры чипа, благодаря чему производители оборудования смогут использовать освободившееся внутри устройств пространство для установки более крупных и емких аккумуляторов.

Ожидается, что устройства на базе Snapdragon 835 выйдут на рынок уже в первой половине 2017 года. Snapdragon 835 является развитием процессора Snapdragon 820/21, на базе которого реализовано уже более 200 моделей мобильных устройств.

Пресс-релиз

Версия для печати