Компания Samsung Electronics объзаявила о разработке модуля памяти RDIMM емкостью 8 Гб класса 40 нм на базе экологичной технологии Green DDR3 DRAM. Сообщается, что по сравнению с предыдущими разработками модуль отличается значительно большей производительностью, в основном за счет использования трехмерной технологии формирования многоуровневой структуры чипа TSV (Through-silicon via).

Технология TSV подразумевает использование в кремниевой плате вертикальных микронных отверстий с медной заливкой. При использовании такого вида соединения вместо традиционного значительно увеличивается скорость передачи информации. Многочисленные пользовательские тесты доказали готовность технологии TSV от Samsung к использованию с различными серверными приложениями, которые требуют высокой производительности и больших энергозатрат.

Как информирует Samsung Electronics, новый модуль экономит до 40% энергии по сравнению с обычной памятью RDIMM. Технология TSV позволяет увеличить плотность записи более чем на 50% и сократить количество разъемов для модулей памяти в серверных системах следующего поколения, а также поможет снизить энергопотребление серверов, увеличив одновременно емкость памяти и производительность.

Согласно данным Samsung Electronics, распространение трехмерной TSV-технологии намечено на 2012 г. Компания планирует применить TSV в узлах, выполненных по технологии 30 нм и в других, более современных, процессах.

Версия для печати