Организация JEDEC опубликовала спецификацию GDDR5X. Память нового стандарта позволяет удвоить пропускную способность по сравнению с таковой для GDDR5 и фактически является её производной. Для памяти нового типа сохранена внутренняя структура, при этом благодаря вдвое большей разрядности шины блока предварительной выборки удалось удвоить пропускную способность GDDR5X. На начальном этапе речь идет о 10–14 Гб/c с перспективой получить до 16 Гб/c на один контакт, тогда как GDDR5 может обеспечить 5–8 Гб/c в зависимости от эффективной рабочей частоты чипов. С учетом сохранения метода передачи сигналов, переход с GDDR5 на GDDR5X не должен вызвать больших сложностей и требовать существенных затрат.

Почти эксклюзивно GDDR5X разрабатывала компания Micron. По неофициальным данным, стандарт GDDR5X могла начать разрабатывать компания Qimonda, а после неё — Elpida Memory. Обе обанкротились, а центр по разработке в Мюнхене в результате был куплен Micron. Как ожидается, массовый выпуск памяти GDDR5X компания Micron начнёт во второй половине 2016 г. Если сроки не изменятся, видеокарты с памятью GDDR5X появятся в продаже ближе к концу года или в начале 2017-го.

Не исключено, что именно GDDR5X будет использоваться AMD и Nvidia для будущих устройств среднего класса. Кроме графических адаптеров GDDR5X может использоваться также для игровых консолей, серверного оборудования и производительных сетевых решений.

Ранее в JEDEC был принят стандарт HBM (High Bandwidth Memory) в начальной и в улучшенной версиях. Обновлённый стандарт позволяет выпускать микросхемы HBM, скорость обмена с которыми в семь раз выше, чем в случае микросхем памяти GDDR5. Из минусов: память HBM дорого обходится в производстве, поскольку представляет собой модуль, а не обычный залитый компаундом кристалл. В ближайшие год—два HBM будет применяться в дорогих устройствах. Это могут быть, к примеру, флагманские видеокарты.

Версия для печати (без изображений)