Intel представила результаты разработки универсальной 14-нанометровой схемы параллельно-последовательного/последовательно-параллельного преобразования со скоростью передачи от 1 до 16 Гбит/с. Это первая разработка в рамках семейства продукции, которое будет включать высокопроизводительные схемы со скоростью от 10 до 32 Гбит/с и схемы с пониженной мощностью со скоростью от 1 до 10 Гбит/с. 14-нанометровые схемы параллельно-последовательного/последовательно-параллельного преобразования корпорации Intel представляют собой второе поколение продукции. Первое поколение схем создается на базе 22-нанометровой производственной технологии Intel с использованием транзисторов Tri-Gate. Новая разработка расширяет рабочий диапазон и уменьшает объем потребления энергии на 20%. Кроме того, новая продукция имеет более чем на 40% меньшие размеры по сравнению с 22-нанометровыми схемами предыдущего поколения.

14-нанометровые схемы параллельно-последовательного/ последо-вательно-параллельного преобразования со скоростью передачи до 16 Гбит/с поддерживают различные протоколы информации, включая USB, PCIe, Ethernet и 10G-KR, и обеспечивают минимальные флуктуации при сохранении энергоэффективности и компактных размеров. Высокоскоростные схемы со скоростью передачи данных от 10 до 32 Гбит/с позволят реализовать эти преимущества в новых интерфейсах, включая OIF, 100G Ethernet и 32 Fibre Channel, используемых в высокопроизводительных сетях. Версия с пониженным уровнем энергопотребления сможет предоставить те же самые преимущества и обеспечить минимальное энергопотребление в режиме ожидания для протоколов MIPI M-PHY и USB SSIC, используемых в беспроводных устройствах. Архитектура схем постоянно оптимизировалась по мере выхода новых поколений продукции, что позволяет корпорации обеспечивать ведущие показатели энергопотребления, скорости работы и занимаемой площади.

Схемы параллельно-последовательного/последовательно-парал-лельного преобразования Intel представляют собой готовые решения. Они включают развитую интеграцию, тестовую конфигурацию и модели моделирования системы. Помимо оптимизации таких показателей, как энергопотребление, скорость работы и размеры, были также улучшены такие характеристики, как простота интеграции, гибкость ориентации и настройка конфигурации протоколов.

«Новая разработка сможет предоставить дополнительные преимущества нашим заказчикам, включая быстрый вывод на рынок новой продукции и технологическое лидерство, — сказал Анураг Ханда (Anurag Handa), старший директор, Marketing and Business Development, Intel Custom Foundry. — Это заявление стало первым подтверждением преимуществ ведущей в отрасли 14-нанометровой технологии с использованием транзисторов Tri-Gate, и в будущем мы представим новые разработки, которые будут дальше развивать потенциал нашего производственного процесса».