А. Б.

    

2 октября компания Samsung Electronics (www.samsung.ru) объявила о первых поставках многочисленным компаниям, занимающимся сетевым бизнесом, технологических образцов микросхемы синхронной памяти SRAM, названной NtRAM.

Микросхема КМ736S849T NtRAM имеет емкость 8 Мбит и работает на частоте 150 МГц. Она идеально подходит для использования в сетевом оборудовании, где пропускная способность имеет особое значение. Подобная микросхема емкостью 16 Мбит будет выпущена на рынок в 1999 г.

Напряжение питания микросхемы КМ736S849T NtRAM составляет 2,5 В, что значительно меньше, чем у ее аналогов. Тем не менее разработана также версия микросхемы, работающая от напряжения 3,3 В. Кристалл помещается либо в корпус типа TQFP (100 выводов), либо типа BGA (119 выводов).

Телефон московского представительства Samsung Electronics: (095) 797-2400.

    

    

    

Версия для печати