Издание EETimes со ссылкой на доклад исследовательской компании TrendForce сообщает о возрастающей роли Китая в расширении выпуска памяти 3D NAND. Во-первых, в производство 3D NAND в Китае инвестируют крупнейшие международные игроки рынка флэш-памяти Samsung, Intel, Micron и SK Hynix, у которых в этой стране есть соответствующие заводы. Во-вторых, в Китае обещает зародиться собственное производство 3D NAND.

В конце марта, сообщают наблюдатели, китайский производитель флэш-памяти XMC Memory Fab начнёт строить один из крупнейших в Китае заводов для выпуска 3D NAND. Сегодня в активе XMC Memory имеется завод по выпуску памяти типа NOR-флэш с месячным объёмом 20 тыс. пластин. После вывода нового завода на плановую мощность, что произойдёт в течение 5-10 лет после ввода завода в строй в 2018 г., предприятие ежемесячно сможет выпускать по 200 тыс. пластин с памятью 3D NAND. Для сравнения, китайская фабрика Samsung по выпуску 3D NAND к концу прошлого года вышла на мощность порядка 100 тыс. пластин в месяц. Технология производства памяти 3D NAND разработана китайцами совместно с компанией Spansion.

Первой многослойную 3D NAND два с половиной года назад начала выпускать Samsung. Флеш-память такого типа позволяет уменьшить площадь кристалла на пластине и увеличить число выхода микросхем с каждой пластины. При этом для выпуска многослойной флеш-памяти не нужно использовать самые передовые техпроцессы уровня 15–16 нм, что даёт возможность использовать устаревающее оборудование и, что важно для потребителей, не ухудшает качественные характеристики микросхем энергонезависимой памяти. Ведь чем тоньше техпроцесс, тем меньше в ячейке места для хранения заряда, что ускоряет износ ячеек. Для выпуска 3D NAND используются техпроцессы класса 30–40 нм.

Прогресс в выпуске памяти 3D NAND дал возможность Samsung начать экономить на инвестициях в производство. Так, в текущем году компания собирается снизить инвестиции в производство памяти (DRAM и NAND) с прошлогодних 13 млрд. долл. до 9 млрд. Производитель объясняет этот шаг ожидаемым снижением цен на NAND-флэш в связи с перепроизводством. Но это не касается памяти 3D NAND: благодаря Samsung и Intel с Micron к концу 2016 г. доля 3D NAND в совокупном объёме NAND-памяти достигнет 20%, тогда как по итогам 2015 г. её доля едва превышала 6%.

Также аналитики отмечают, что в текущем году доля «китайской» памяти NAND-флэш в общемировом производстве составит 8%, а к лету следующего года обещает вырасти до 10%. Это связано с тем, что ведущие мировые компании увеличивают инвестиции в собственные китайские заводы по выпуску памяти NAND. Так, Intel до III квартала 2017 г. завершит модернизацию своего завода в городе Далянь, который будет выпускать как 3D NAND, так и 3D XPoint. Также увеличат инвестиции в китайские заводы по выпуску 3D NAND компании Samsung и SK Hynix.

Память 3D NAND сегодня считается самой лучшей с точки зрения себестоимости, и тот, кто её внедряет ускоренными темпами, только выигрывает. Так, до конца года доля 3D NAND в продуктовой линейке флэш-модулей Samsung превысит 40%. Среди остальных крупнейших производителей энергонезависимой памяти только Intel и Micron смогут добиться внушительных темпов перехода на производство 3D NAND. Таким образом, конкуренция в секторе 3D NAND набирает обороты, но когда поток продукции на рынке достигнет стадии насыщения, то это оставит в выигрыше пользователей — производители и дальше будут снижать цены на SSD и флэш-накопители.

Версия для печати (без изображений)