Южнокорейский техно-гигант Samsung первым в ИТ-индустрии наладил производство вертикальных 3D чипов памяти типа V-NAND. Компания заявила, что такие чипы будут применяться как для потребительской электроники, так и для корпоративных решений, в том числе в качестве встраиваемой NAND-памяти и флэш-хранилищ для SSD. Новые чипы характеризуются 128-Гбит плотностью и используют структуру вертикальных ячеек, а также технологию 3D Charge Trap Flash (CTF) и вертикальные межсоединения, пронизывающие трёхмерный массив ячеек.

Первые выпускаемые чипы смогут вместить в себя 16 Гб данных; далее запланирован выпуск чипов объёмом 128 Гб. В будущем же Samsung прогнозирует выпуск чипов ещё больших объёмов. Как заявляет производитель, технология V-NAND позволяет добиться 8-кратного увеличения емкости, что позволит оснастить ноутбук не 128 Гб, а 1 Тб памяти. В сравнении со своей предшественницей — NAND-памятью — новая технология от 2 до 10 раз более надёжна, она также обеспечивает вдвое увеличенную скорость записи.

В принципе, с момента своего появления NAND-память уже вплотную приблизилась к границам физических возможностей и после перехода на 10-нм техпроцесс дальнейшее повышение плотности хранения информации более не представляется возможным, поскольку между ячейками памяти стала возникать интерференция, в результате чего надежность хранения данных снизилась ниже допустимого предела.

Технология 3D V-NAND призвана решить эту проблему: открыть новый способ повышения плотности хранения данных в дальнейшем, сохранив такую технологическую норму, которая обеспечит необходимый уровень надежности. Согласно оценкам компании, новые чипы могут размещать на одном заданном диаметре до 24 “этажей” ячеек памяти. В будущем компания планирует увеличить этот показатель до 32, затем до 64 и так далее. Нынешние 25-нм трехмерные модули примерно вдвое компактнее 20-нм модулей NAND.

Помимо Samsung в производство NAND-памяти активно инвестируют и его конкуренты — Toshiba и SanDisk. По информации Reuters, последние вложили средства в размере 4 млрд. долл. в строительство нового завода, который будет располагаться на территории производственного комплекса в Йоккаичи (на западе Японии). Сообщается, что микросхемы флэш-памяти, которые планируются к выпуску на новой фабрике, будут иметь ширину 16—17 мм — на 2—3 мм меньше чем у чипов, которые компании производят сейчас. Это позволит производить больше чипов на одной кремниевой пластине.

Версия для печати (без изображений)