Недавно компания Samsung заявила о готовности наладить выпуск твердотельных накопителей, работающих на базе 3D-чипов памяти типа V-NAND. Новые чипы характеризуются 128-Гбит плотностью и используют структуру вертикальных ячеек, а также технологию 3D Charge Trap Flash (CTF) и вертикальные межсоединения, пронизывающие трёхмерный массив ячеек. По сравнению с обычной флэш-памятью технология 3D V-NAND позволяет увеличить надёжность работы накопителей (в 2—10 раз) и скорость передачи данных (до двух крат).

На августовском форуме Flash Memory Summit 2013 производитель представил серию первых в мире SSD-накопителей корпоративного класса на трёхмерных микросхемах 3D V-NAND ёмкостью 480 и 960 Гб. Они предназначены для использования в серверах и оборудовании для центров обработки данных. Накопители выполнены в форм-факторе 2,5 дюйма, их размеры — 100х70х7 мм. Для подключения к ПК используется интерфейс Serial ATA 3.0 (6 Гбит/с).

Число допустимых циклов стирания ячейки памяти 3D V-NAND достигает 35 000, что в три-шесть раз выше по сравнению с 19-нм флэш-памятью MLC NAND, используемой в потребительских SSD. Точных данных о производительности Samsung пока не раскрывает, отмечая лишь, что SSD-диски новой серии по скорости последовательной и произвольной записи на 20% быстрее стандартных накопителей. О цене новинок не сообщается.

Версия для печати (без изображений)