Прорывы в технологии 3D NAND продолжают двигать ее вперед. 4 августа компании SanDisk и Toshiba представили свою новую микросхему 3D NAND емкостью 256 Гб с тремя битами на ячейку и 48 слоями.

Когда она станет доступна — вопрос открытый. Хотя в СМИ утверждается, это случится в начале следующего года, Toshiba сообщила только, что «начало ее поставок в составе продуктов SanDisk ожидается в 2016 г.».

По словам представителей SanDisk, эта микросхема 3D NAND предназначается для использования в широком спектре продуктов потребительского и корпоративного класса, в т. ч. в мобильных устройствах.

Еще в марте SanDisk и Toshiba представили первую в мире 48-слойную микросхему флеш-памяти Bit Cost Scalable (BiCS). На тот момент она имела объем 128 Гб и два бита на ячейку, а также трехмерную структуру из расположенных слоями ячеек. Теперь разработчики увеличили плотность до трех бит на ячейку.

«BiCS — это архитектура энергонезависимой памяти, которая выведет устройства на базе флеш-памяти на новый уровень плотности размещения элементов, масштабируемости и производительности, — заявили представители SanDisk. — Память типа BiCS NAND обеспечит также увеличенное количество циклов записи/стирания, повышенные скорости записи и возросшую энергоэффективность по сравнению с обычной памятью 2D NAND».

«Это первая в мире микросхема X3 емкостью 256 Гб, разработанная с использованием нашей 48-уровневой технологии BiCS и демонстрирующая сохраняющееся лидерство SanDisk в области технологии X3», — сказал вице-президент SanDisk по технологии памяти доктор Сива Сиварам.

Ранее в этом году сообщалось, что Samsung Electronics подписала соглашение о производстве своих твердотельных дисководов 3D NAND для ЦОДов Google.

Версия для печати (без изображений)