Micron Technology и Intel представили очередные плоды своего сотрудничества в виде 64-слойных чипов флэш-памяти 3D NAND QLC, хранящих по четыре бита в одной ячейке. Емкость отдельно взятой микросхемы составляет 1 Тбит (125 Гб), благодаря чему объём BGA-чипа, содержащего в себе 16 таких кристаллов, составит рекордные 2 Тб.

Терабитный чип 64-слойной памяти 3D NAND использует четыре банка памяти вместо двух, как это было реализовано до сегодняшнего дня. Разбивка на четыре логических и физических массива позволяет увеличить параллельный доступ к памяти, что ускоряет операции чтения и записи. Как отмечают представители Intel и Micron, микросхемы 3D NAND QLC позволяют ещё больше снизить стоимость твердотельных накопителей в пересчёте на один гигабайт. Правда, конкретные цены пока не называются.

Главным недостатком памяти QLC NAND является более низкая выносливость по сравнению с TLC NAND, использующейся во многих современных SSD. По оценкам разработчиков, чипы памяти 3D NAND QLC способны выдержать около 1 тыс. циклов перезаписи, тогда как чип TLC NAND выдерживает 3 тыс. циклов.

Ожидается, что новые накопители поступят в продажу осенью. Очевидно, что основными потребителями станут дата-центры, однако Intel намерена наладить выпуск сверхъемких SSD и для потребительского сегмента.

Первым устройством на базе 3D NAND QLC стал собственный SSD Micron — модель 5210 ION. Устройство толщиной 7 мм выполнено в 2,5-дюймовом форм-факторе, подключается через интерфейс SATA 6 Гбит/с. Емкость накопителя варьируется от 1,92 до 7,68 Тб. Более подробные технические характеристики устройства станут известны позднее.

Кроме того, партнеры объявили о прогрессе в разработке трехмерной структуры NAND третьего поколения, состоящей из 96 слоев. За счет увеличения числа слоев разработчикам удалось повысить удельную плотность хранения в расчете на единицу площади кристалла. В обоих случаях (64-слойной памяти QLC NAND и 96-слойной TLC NAND) используется техпроцесс CuA (CMOS under the array), позволяющий уменьшить размеры кристалла и повысить производительность по сравнению с конкурирующими решениями.

Intel и Micron обещают довести 96-слойную технологию 3D NAND до опытного производства в текущем году. Это ещё на 50% увеличит плотность записи.

Помимо Intel и Micron производством такого типа памяти занимаются WD, Toshiba и Samsung.

Версия для печати (без изображений)