Несмотря на регулярное появление новых технологий хранения данных, флэш-память, по крайней мере, в ближайшие несколько лет продолжит удерживать позиции в качестве доминирующего типа твердотельной памяти (solid-state memory). Тем временем индустрия по производству носителей данных начинает осваивать новые виды памяти. В недавнем исследовании рынка, проведенном аналитическими компаниями Coughlin Associates и Objective Analysis, говорится, что в ближайшие несколько лет производители приступят к выпуску многослойной флэш-памяти 3D X-Point, разработанной Intel и Micron, что приведет к снижению производства DRAM (динамическая память с произвольным доступом).

Одновременно с этим память типа STT MRAM (магниторезистивная оперативная память с произвольным доступом) повлияет на рынок памяти типа SRAM (статическая память с произвольным доступом), флэш-памяти NOR и некоторых типов DRAM. В отчете также говорится, что потенциальной заменой флэш-памяти в ближайшие десять лет готовится стать резистивная память RAM (ReRAM). Прогнозируемый рост производства и темпы развития новых видов памяти приведут к снижению цен, что резко повысит конкурентоспособность энергонезависимой памяти по сравнению с энергозависимой.

«Переход к энергонезависимой памяти и кэш-памяти напрямую уменьшает потребление энергии, гарантирует более быстрое аварийное восстановление, позволяет применять новые режимы энергосбережения и стабильные компьютерные архитектуры, которые сохраняют свое состояние даже при отключенном питании. Мы ожидаем, что рост поставок 3D XPoint придется на 2020-2021 гг. С учетом того, что по сравнению с DRAM цены на этот тип памяти будут умеренными, к 2028 г. 3D XPoint сгенерирует 3 млрд. долл. дохода», — заявил соавтор исследования Том Кофлин.

Повышенным спросом будут пользоваться MRAM и STT-RAM. Память STT-MRAM минимум в 100 тыс. раз быстрее традиционной флэш-памяти. Кроме этого, она имеет еще несколько значительных преимуществ, главным из которых является то, что информация, записанная в ячейках STT-MRAM, не сотрется, не исказится и не потеряется. Вторым преимуществом является то, что данный тип памяти потребляет энергию только в моменты записи или считывания информации, а в периоды, когда память неактивна, чипы вообще не потребляют энергию.

Если в 2017 г. новые сегменты рынка памяти принесли производителям 36 млн. долл. выручки, то к 2028 г. ее объем оценивается в 3,3 млрд. долл. Большую часть этого прироста обеспечат SRAM, NOR и некоторые типы DRAM, считает Кофлин. Особое место он отводит STT-RAM, отмечая, что спрос на MRAM и STT-MRAM будет стимулировать спрос на капитальное оборудование для их производства: несмотря на то, что MRAM и STT-MRAM производятся на базе стандартной схемотехники CMOS, для изготовления MRAM-слоев требуется специализированное оборудование, которое похоже на то, которое применяется для изготовления магнитных головок для жестких дисков.

Два месяца назад Intel представила первую оперативную память на 3D XPoint, совместимую с DDR4. Модули выполнены в формате DIMM, полностью совместимы с памятью DDR4 и по быстродействию значительно выигрывают у NAND. Micron намерена вывести на рынок собственные продукты под торговой маркой QuantX ориентировочно в конце 2019 г.

Версия для печати (без изображений)