Micron Technology, американский производитель чипов для компьютерной техники, сообщил о начале производства нового поколения микросхем памяти, предназначенных для работы в ультрабуках и планшетах. По словам производителя, новый класс памяти DDR3L-RS обеспечит более высокую производительность и бережный расход аккумулятора, что крайне важно для мобильных устройств.

Чипы DDR3L-RS выпускаются по 30-нм технологическому процессу в двух модификациях: 2 и 4 Гб. Продаваться они будут по каналам сбыта, ориентированным на планшеты, ультрабуки и ультратонкие ноутбуки. Сообщается, что до конца этого года Micron наладит выпуск 8-Гб модулей памяти. В компании уверяют, что чипы DDR3L-RS обладают очень высоким уровнем энергоэффективности в режиме простоя устройства, что поможет максимизировать время работы от аккумулятора. Также, новые DDR3L-RS на порядок энергоэффективнее по сравнению с традиционными DRAM-модулями для компьютеров.

“Мы уже провели первые испытания у наших клиентов в среде производителей мобильных устройствбильные устройства еще тоньше и экономичнее”, — говорит Роберт Ферле, вице-президент Micron по маркетингу.

Компания заявляет, что она стала первым производителем, чья память DDR3L-RS успешно прошла проверку Intel на совместимость с платформой Ivy Bridge. Ранее Intel, как основной идейный вдохновитель концепции ультрабуков, заявляла, что именно продолжительная работа от аккумулятора является одним из преимуществ ультрабуков. Сама Intel намерена в будущем предложить энергоэффективные процессоры новой архитектуры Haswell, которые будут использоваться в том числе и в ультрабуках.

Micron также информирует о приеме на работу бывшего топ-менеджера Nvidia Майкла Рейфилда, который будет курировать в Micron мобильный бизнес и займёт должность вице-президента и главы Micron Wireless Solution Group. Рейфилд в августе ушёл из Nvidia, где отвечал за направление мобильных графических чипов Tegra и оптимизацию “больших” графических технологий для мобильной сферы.

Напомним, что недавно компания SK Hynix также представила энергоэкономичную память для мобильных устройств типа DDR3L-RS, но выполненную по 20-нм технологическому процессу. Она отличаются эффективным управлением током в режиме ожидания, позволяющим сократить потребляемую мощность до 70% по сравнению с типичными решениями DDR3L.

Версия для печати (без изображений)