Японская Toshiba разработала маломощные и высокоскоростные версии MRAM-чипов, которые, как уверяет производитель, могут снизить энергопотребление в мобильных процессорах до 75%. Новые модули памяти MRAM (magnetoresistive random access memory) могут использоваться в смартфонах как кэш-память для мобильных микропроцессоров, а со временем и полностью заменить используемую сейчас SRAM-память.

Toshiba считает, что современные смартфоны используют все большие объемы памяти формата SRAM, хотя изначально этот формат не предусматривал пониженного энергопотребления, поэтому потребление энергии в современных смартфонах и планшетах стремительно растет, несмотря на все технологические ухищрения, связанные со снижением уровня потребления микропроцессоров.

Формат памяти MRAM использует магнитный принцип хранения битов, тогда как современная оперативная память SRAM полагается на электрический принцип. В отличие от SRAM-памяти, теряющей хранящуюся информацию при отсутствии электричества, MRAM является энергонезависимым форматом, что, кроме прочего, подходит для быстрого запуска устройств. Кроме того, в отличие от флэш-памяти, характеристики MRAM не ухудшаются за время эксплуатации. Иными словами, MRAM совмещает достоинства динамической и флэш-памяти.

Toshiba разрабатывает MRAM-память, базирующуюся на технологии переключения с помощью переноса спина (Spin-Transfer Torque, STT). Эта методика призвана решить проблемы, с которыми технология MRAM будет сталкиваться при увеличении плотности размещения ячеек памяти и повышении тока записи.

Пресс-секретарь Toshiba Ацуши Идо говорит, что компания уже давно работает над проблемой снижения потребления в мобильных устройствах и выпуск новых MRAM-чипов — это лишь одно из направлений. По его словам, новые модули предлагается размещать как высокоскоростную кэш-память на процессорах, чтобы те в процессе работы меньше обращались к основной памяти.

В Toshiba говорят, что в новых мобильных MRAM используется несколько иной формат записи данных на основе ориентации магнитных битов, но его детали не уточняют. Созданы новые чипы на базе 30-нм технологического процесса. В компании не сообщают, когда мобильные MRAM поступят на рынок и сколько будут стоить.

Ранее сообщалось, что полупроводниковое подразделение Samsung начало выпуск 128-Гб встраиваемых модулей памяти нового поколения для смартфонов, планшетов и другой мобильной электроники. По данным производителя, новые изделия стали первыми в отрасли модулями eNAND объемом 128 Гб, которые соответствуют спецификации JEDEC eMMC v4.5. Модули eNAND на 128 Гб уже достаточно давно представила компания Toshiba, но они соответствуют спецификации eMMC v4.4. Накопители Samsung eMMC выпускаются в корпусах типа FBGA площадью 12x16 мм. Они демонстрируют скорость последовательной записи в 50 Мб/с, чтения — 140 Мб/с. Для сравнения: показатели вышеупомянутых модулей Toshiba равны 21 и 55 Мб/с соответственно.

Еще один вендор, недавно представивший свои решения в области энергоэффективной памяти, — компания Micron. По словам производителя, новый класс памяти DDR3L-RS обеспечит более высокую производительность и бережный расход аккумулятора, что крайне важно для мобильных устройств.

Чипы DDR3L-RS выпускаются по 30-нм технологическому процессу в двух модификациях: 2 и 4 Гб. Продаваться они будут по каналам сбыта, ориентированным на планшеты, ультрабуки и ультратонкие ноутбуки. Сообщается, что до конца этого года Micron наладит выпуск 8-Гб модулей памяти. В компании уверяют, что чипы DDR3L-RS обладают очень высоким уровнем энергоэффективности в режиме простоя устройства, что поможет максимизировать время работы от аккумулятора. Также, новые DDR3L-RS на порядок энергоэффективнее по сравнению с традиционными DRAM-модулями для компьютеров.

Версия для печати (без изображений)