Intel и Micron на IDF 2015 сообщили о завершении разработки нового класса памяти 3D XPoint. Передовая технология позволяет сделать накопители до 1000 раз быстрее (их скорость измеряется в десятках наносекунд, а не микросекунд, как в NAND), до 1000 раз выносливее и добиться в 10 раз более плотного размещения, чем в существующих аналогах.

Intel Optane — именно так будет называться новая технология — позволит создавать высокопроизводительные накопители. По предварительным данным, накопители на базе этой технологии будут обладать существенными преимуществами по сравнению с традиционными SSD. Так, они обеспечат 7,2-кратный прирост производительности в операциях ввода-вывода при малой очереди запросов и 5,21-кратный — при большой очереди запросов. Еще одно преимущество Optane — жизненный цикл накопителей существенно увеличится, а проблема износа ячеек с невозможность последующей записи в них утратит свою актуальность.

В линейке ожидаются варианты как для дата-центров, так и для ноутбуков, в форм-факторах M.2 и U.2, причем как с интерфейсом SATA, так и с DDR4. У Intel пока нет планов по лицензированию технологии каким-либо иным производителям: мощностей Micron на данный момент хватит для обеспечения рынка. Разработчики 3D Xpoint считают технологию самым значимым прорывом со времени появления NAND (которая до сих пор лежит в основе флэшек и SSD) — а это случилось больше 25 лет назад.

Новая память займёт место где-то между NAND и DRAM (основа оперативной памяти) — до скорости последней новая разработка не дотягивает, но при этом энергонезависима. Глава Intel Брайан Кржанич считает, что полностью раскрыть возможности 3D Xpoint можно только изменив архитектуру компьютеров и операционных систем.

Версия для печати (без изображений)