Корпорация SanDisk сообщила о своей готовности начать в марте-апреле текущего года серийное производство разработанных совместно с Toshiba модулей флэш-памяти NAND, каждая ячейка которой способна хранить три разряда.
Для производства чипов будет использоваться 56-нм техпроцесс. Утверждается, что новая технология позволит на 20% увеличить процент выхода работоспособных кристаллов с одной пластины по сравнению с двухразрядной памятью NAND MLC (Multi-level Cell). При этом надежность и производительность чипов остается на прежнем уровне — скорость записи 16-гигабитных чипов NAND с тремя разрядами на ячейку достигает 8 Мб/с. Иными словами, речь идет о возможности снизить стоимость продукции и увеличить эффективность производства.
