Подразделение Samsung Semiconductors запустило производство новейшего поколения микросхем оперативной памяти типа DDR4, сообщает Engadget. Чипы DDR4 ориентированы на использование в корпоративных серверах следующего поколения и во многом являются развитием DDR3-чипов, но с более высокой производительностью, более низким энергопотреблением и повышенной скоростью обмена данными. В частности, Samsung обещает увеличение производительности в 1,25 раза при одновременном снижении энергопотребления почти на 30% по сравнению с обычными модулями DDR3. Новые чипы памяти произведены по 20-нм техпроцессу и поддерживают скорость передачи данных 2667 Мбит/с.
Производитель для сравнения напоминает, что значительная часть широко распространенных модулей DDR3 имеет объем 8 Гб и выпускается по 30-нм нормам, в то время как объём предлагаемых компанией Samsung модулей составляет 16 и 32 Гб. Дату начала поставок новых чипов и цены на них Samsung не сообщила.
Однако эксперты несколько сомневаются, что рынок готов к переходу на формат оперативной памяти DDR4, так как массовые модели серверов по-прежнему работают на базе DDR3 и даже запланированные в ближайшее время к релизу модели все равно ориентированы на DDR3. Ряд экспертов полагает, что по-настоящему массовый приход DDR4 на рынок можно будет ждать не раньше 2015 г.
Согласно планам Intel, ранее утекшим в Сеть, поддержка такой памяти начнется в 2014 г. При этом в серверах должны быть установлены процессоры Haswell-E. Также эти процессоры должны будут поддерживать и ПК-системы (во второй половине 2014-го). Примерно в это же время ожидается выход Intel Broadwell, но Intel еще не подтвердила совместимость технологии ни с одним из своих продуктов.
В 2012 г. организация JEDEC установила стандарты для DDR4-модулей: число операций по пересылке данных в секунду будет составлять 1,6—3,2 GT/s (гигатрансферов в секунду), напряжение питание составит 1,2 В вместо 1,5 В в DDR3
