В рамках Международного форума «Открытые инновации» компания «Крокус Наноэлектроника», совместное предприятие РОСНАНО и Crocus Technology, приступила к производству магниторезистивной памяти (MRAM).
В торжественной церемонии открытия завода по телемосту приняли участие Мэр Москвы Сергей Собянин, председатель правления РОСНАНО Анатолий Чубайс, генеральный директор Crocus Technology (Франция) Жан-Люк Сенти и генеральный директор «Крокус Наноэлектроника» Борис Омаров.
Магниторезистивная память (MRAM), совмещающая в себе энергонезависимость, высокую скорость записи/чтения и практически неограниченное количество циклов перезаписи, является памятью нового поколения. Продукция проекта, основанная на MRAM и уникальной технологии MLU (Magnetic-Logic-Unit — магнитная логическая ячейка), разработанной Crocus Technology совместно с IBM, может использоваться в смарт-картах, сетевых коммутаторах, устройствах биометрической аутентификации, коммуникационных устройствах малого радиуса действия (near-field communications — NFC) и защищенной памяти. Ожидается, что объем общего рынка применений продукции проекта в 2014 году превысит 8 млрд. долларов США.
Строительство производства компании «Крокус Наноэлектроника» на территории Технополиса «Москва» — один из примеров сотрудничества РОСНАНО и правительства Москвы, которое развивает на территории бывшего АЗЛК уникальную площадку для высокотехнологичных компаний. «Крокус Наноэлектроника» стала первым резидентом будущего микроэлектронного кластера.
Первая очередь производства «Крокус Наноэлектроника», введенная в строй за год с момента начала строительства, станет первым в мире производством MRAM с проектными нормами 90 нанометров. На 200- и
