Американская компания Crossbar из Санта-Клары (шт. Калифорния) сообщила, что первые серийные образцы энергонезависимой памяти нового типа ReRAM уже готовы. По данным издания EETimes, Crossbar будет лицензировать разработку по примеру ARM. В перспективе компания рассчитывает увидеть ReRAM в качестве самостоятельной памяти для разного рода накопителей. Сама она не будет выпускать (заказывать) подобные микросхемы и накопители, но в партнёрстве с каким-либо крупным вендором готова рассмотреть такую возможность. По словам представителей Crossbar, технологией заинтересовались многие крупные производители микросхем.
Сообщается, что выпуском ReRAM уже занимается, в частности, китайская компания SMIC, получившая лицензию в марте 2016 г. Поставки опытной
Благодаря своим характеристикам ReRAM потенциально способна заменить флэш-память NOR, оптимизированную для запуска кода, и NAND, которая сегодня массово используется для хранения данных. Так, если задержки при обращении к памяти NAND-типа достигают миллисекунд, то при чтении из ячейки ReRAM они равны 20 нс, а при записи в ReRAM не превышают 12 нс.
Ячейка ReRAM представляет собой «бутерброд» из двух серебряных электродов с областью из аморфного кремния между ними. Под воздействием тока в кремнии начинают расти нити из ионов серебра, создавая между электродами определённую проводимость. Напряжение обратной полярности разрушает проводимость, а напряжение с небольшим значением только лишь считывает значение ячейки. Такая ячейка, кроме того, не требует отдельной операции для стирания данных, а число циклов перезаписи достигает 100 тыс. и может быть увеличено.
Нужно заметить, что компания SMIC, которая взялась за выпуск микросхем ReRAM, входит в число лидеров полупроводникового рынка. Вместе с GlobalFoundries и UMC она контролирует четверть рынка контрактного производства полупроводников. По данным IC Insights, по итогам прошлого года SMIC стала второй после израильской компании X Fab по темпам роста выручки — он составил 31%.
