Компания NXP Semiconductors представила высокочастотный NPN-транзистор BFU725F, с частотой переключения до 70 ГГц. Он отвечает требованиям директивы RoHS и характеризуется уровнем шумов 0,43 дБ при частоте 1,8 ГГц и 0,7 дБ при частоте 5,8 ГГц. Уровень максимального стабильного усиления составляет 27 дБ при частоте 1,8 ГГц и 10 дБ при частоте 18 ГГц. Транзистор заключен в пластиковый корпус для поверхностного монтажа SOT343F и предназначен для использования в GPS-навигаторах, DECT-телефонах, спутниковых радиосистемах и устройствах WLAN/CDMA.
При разработке транзистора BFU725F c целью минимизации производственных расходов был использован технологический процесс SiGeC (кремний-германий-углерод), применяемый при выпуске дискретных компонентов, а также при производстве монолитных микросхем и широкополосных транзисторов. Это позволило довести оптовую стоимость транзистора до 0,2 долл.
