Михаил Вольф
Год назад (см. PC Week/RE, № 3/98, c. 1) было объявлено о старте совместного проекта компаний Siemens и Motorola по разработке и производству нового поколения кремниевых пластин сверхвысокой очистки увеличенного диаметра: 300 мм вместо обычных 200 мм. За счет того, что при прочих равных производственных расходах большая площадь диска позволяет разместить на нем в 2,5 раза больше микросхем, себестоимость продукции удалось снизить на 30%.
И вот в первой половине февраля этого года на специально возведенном в Дрездене заводе была изготовлена первая 300-миллиметровая пластина. В настоящее время завод выпускает 64-мегабитные кристаллы динамического ОЗУ (DRAM), но до 2001 г. предполагается разработка полностью новой технологии производимых микросхем. Общая стоимость НИР по ее созданию оценивается более чем в 1 млрд. немецких марок. Государство на эти цели выделило 187 млн. марок; от федеральной земли Саксонии, столицей которой является Дрезден, поступило еще 120 млн.
Как сообщил представитель Siemens Андреас фон Зитцевиц (Andreas von Zitzewitz), являющийся руководителем подразделения по производству микросхем памяти, окончательное решение о действиях партнеров после 2001 г. пока не принято: не исключено как строительство каждым из них собственных производств микросхем на базе разработанной сообща технологии (по его оценкам, стоимость новой фабрики составила бы примерно 1 млрд. долл.), так и продолжение совместных работ в рамках успешно функционирующего американо-немецкого СП.
