Корпорация Intel (www.intel.ru) объявила об установке первого в мире коммерческого аппарата EUV-литографии и опытной линии по производству масок для него. Это важный этап в переходе от современной литографии, использующей ультрафиолетовое излучение с длиной волны 193 нм, к использованию сверхжесткого ультрафиолетового излучения (EUV) с длиной волны 13,5 нм.
Это позволит изготавливать микросхемы с проектными нормами 30 нм, а впоследствии перейти к технологии 15 нм. В настоящее время микросхемы изготавливаются с проектными нормами 90 нм, с минимальным размером элемента 50 нм.
Однако на пути широкого внедрения EUV-литографии стоят немалые препятствия. Дело в том, что для таких длин волн не только все оптические материалы непрозрачны, но непрозрачен и сам воздух. А вот фоторезисты становятся наоборот прозрачными.
Корпорация Intel будет использовать новую установку для создания фоторезиста и для решения проблемы воздействия неточностей маски на рисунок схемы для печати на подложке. Кроме того, вступила в строй пилотная производственная линия по изготовлению масок для EUV-литографии. Она станет основой будущего производства масок, которым корпорация Intel планирует заняться самостоятельно.
"Мы планируем начать использовать технологию для выпуска процессоров на базе 32-нанометровой технологии в 2009 г., - сказал Кен Дэвид (Ken David), директор по исследованиям компонентов подразделения Technology and Manufacturing Group корпорации Intel. - Эта технология поможет нам следовать закону Мура и в будущем десятилетии".
