В декабре 2003 г. на международной конференции по электронным устройствам (2003 IEDM) компания NEC объявила о разработке КМОП-транзистора с затвором длиной в 5 нм.
Были продемонстрированы вольтамперные характеристики приборов с N- и P- каналами, подтверждающие, что они могут использоваться как ключи. Измерения проводились при напряжении на затворе в диапазоне от 0,05 до 0,4 В с шагом 0,05 В.
Главная проблема у нового транзистора – весьма малый ток в открытом состоянии. У N-канального прибора, он не превышает 40 пА, что и определяет его плохие характеристики. Для коммерческого использования ток необходимо повысить до 700—800 пА. Исследователи компании ищут пути для разрешения этой проблемы.
Предполагается, что массовое производство схем на этих транзисторах начнется в 2020 или 2021 г. Использование нового прибора позволит увеличить число транзисторов в 150 раз по сравнению с наиболее распространенной с настоящее время 130 нм технологией.
А. Л.
