Корпорация IBM намерена использовать при производстве микросхем следующих поколений иммерсионную литографию. Об этом заявил директор отделения IBM по исследованиям и разработкам NanoTech Джим Райен (Jim Ryan).
25 августа NanoTech объявило о том, что начинает выпуск схем по иммерсионной технологии на длине волны 193 нм с использованием подложек диаметром 300 мм на экспериментальной установке иммерсионной литографии голландской компании ASML. В настоящее время при производстве схем на 300 мм подложках IBM применяет сканеры ASML.
Исследователи из NanoTech, ASML и TEL совместно разрабатывают материалы и процессы для иммерсионной литографии на длине волны 193 нм с использованием подложек диаметром 300 мм.
В 2003 г. IBM планировала применять установки, работающие на свете длиной волны в 193 нм, для производства микросхем по технологическим нормам 65 нм, а сканеры на длине волны в 157 нм – для производства по 45 нм нормам.
Для производства схем по 32 нм технологическим нормам IBM проводила исследования по нескольким новым направлениям технологий литографии, например, электроннолучевой (EPL), дальнего ультрафиолета (EUV), рентгеновской и некоторых других.
С тех пор производители микроэлектроники почти полностью отказались от использования в будущем литографии с длиной волны 157 нм для производства схем по 45 нм технологическим нормам, иммерсионная литография стала рассматриваться как перспективная технология при производстве по нормам 45 нм и ниже.
А. Л.
