Шестого сентября компании Toshiba, NEC Electronics и Fujitsu Limited объявили, что они согласовали стандарт на интерфейс псевдостатической памяти (Pseudo Static Random Access Memory -- PSRAM).
Он базируется на стандарте COSMORAM (Common Specifications for Mobile RAM) версии 3.
Каждая компания будет производить и продавать эту память самостоятельно. Предполагается, что ее массовое производство начнется в марте следующего года.
Первоначально стандарт для памяти многокристальной этажерочной конструкции был предложен в сентябре 1998 г. -- тогда он касался как флэш-памяти, так и SRAM. В марте 2002-го был принят общий стандарт на интерфейс для страничного режима памяти PSRAM и памяти этажерочной конструкции (MCP), а в феврале 2003-го -- для пакетного режима работы памяти PSRAM и MCP.
В последнюю версию стандарта COSMORAM включено описание:
- расширения шины данных;
- мультиплексирования адреса;
- таблицы истинности, которая определяет, каким образом режим работы памяти должен быть связан с внешними сигналами, задавшими этот режим;
- регистра режима. Это внутренний регистр памяти, содержимое которого определяет режим работы памяти. Записывается извне;
- выбора ширины шин драйвера;
- способа чтения регистра режима.
Стандартизация обеспечит совместимость с существующими продуктами и в то же время позволит выпускать более быструю и удобную в применении память.
А. Л.
