Компании STMicroelectronics и Hynix Semiconductor подписали соглашение о совместном строительстве фабрики по производству микросхем памяти DRAM и флеш-памяти NAND в городе Вукси в китайской провинции Джангшу.
К сооружению фабрики, площадь чистых комнат которой превысит 18 000 кв. м, планируется приступить в начале 2005 г. В первую очередь намечено запустить две линии по изготовлению микросхем на подложках диаметром 200 мм; работать на фабрике будут около 1500 человек. На проектную мощность предприятие выйдет в 2006 г., а массовое производство схем на подложках диаметром 300 мм начнется в 2007-м. Производительность каждой линии составит 20 000 пластин в месяц.
В проект будет вложено 2 млрд. долл. из которых на долю Hynix придется 67%, а ST — 33%. Проект будет частично финансироваться китайскими финансовыми организациями, которые предоставят этим компаниям долгосрочные кредиты под низкие проценты.
А. Л.
