Компании Soitec и Freescale Semiconductor представили результаты совместных работ по изготовлению микросхем из напряженного кремния на изоляторе (SOI) с проектными нормами 45 нм. Было сообщено, что получены работающие схемы, мобильность электронов в которых увеличилась на 70%.
Исследования были сосредоточены на создании высококачественных подложек со стабильными свойствами, которые позволяют получить приборы с наилучшими характеристиками.
Результаты свидетельствуют о том, что надежность воспроизводства электрических характеристик приборов не зависит от того, какая подложка была использована -- стандартная SOI или на растянутом кремнии (sSOI) вплоть до размеров 40 нм.
А. Л.
