Компании IBM, Infineon и Macronix договорились о совместных исследованиях памяти, базирующейся на изменении фазового состояния вещества PCM (phase-change memory). Запоминание данных выполняется путем обратимого изменения структуры вещества из аморфного в кристаллическое.
Такая память сохраняет данные при отключении питания неограниченно долго и в будущем может составить конкуренцию флеш-памяти.
Несмотря на то что работы в этом направлении ведутся в разных исследовательских организациях уже несколько десятилетий, до сих пор не создано коммерческого продукта.
Исследования будут выполняться в исследовательском центре IBM имени Ватсона в местечке Йорктаун Хейтс и в лаборатории IBM Альмаден в Сан-Хосе. В исследованиях будут заняты от 20 до 25 сотрудников трех компаний.
Когда ожидается создание работающей памяти и когда предположительно начнется её производство, не сообщается.
Следует отметить, что компания STMicroelectronics заявила о том, что она приступает к производству памяти PCM, использующей халькогенидное стекло.
А. Л.
