Корпорация Intel 25 июля объявила о планах строительства новой полупроводниковой фабрики Fab 32 в штате Аризона (г. Чандлер), которая будет использовать кремниевые пластины диаметром 300 мм. На ней планируется выпускать самые мощные микропроцессоры по проектным нормам 45 нм. Ее строительство начнется в ближайшее время и обойдется в сумму порядка 3 млрд. долл.
Фабрика начнет выпускать продукцию во второй половине 2007 г. и станет шестой фабрикой компании, использующей 300 мм пластины. Общая площадь рабочих помещений составит около 1 млн. кв. футов, из которых 184 000 кв. футов будут занимать чистые комнаты.
На фабрике будет работать около 1000 человек. Intel имеет три работающие 300 мм фабрики, расположенные в Орегоне, Ирландии и Нью-Мексико. Четвертая фабрика (Fab 12) находится в стадии строительства в Аризоне и должна войти в строй позднее в этом году. Расположенная в Ирландии пятая фабрика (Fab 24-2) в настоящее время реконструируется и должна начать работу в I квартале 2006 г.
Использование пластин диаметром 300 мм вместо 200 мм значительно увеличивает выпуск микросхем и уменьшает их стоимость. Полезная площадь 300 мм пластины в 2,25 раза превышает таковую у 200 мм пластины, а число микросхем -- в 2,4 раза. Кроме того, существенно экономятся ресурсы. Так, одна 300 мм фабрика одинаковой с 200 мм производительности расходует в расчете на одну микросхему 40% энергии, требуемой 200 мм фабрикой.
Кроме того, Intel намерена вложить в законсервированную фабрику в Нью-Мексико 105 млн. долл. и превратить ее в завод по тестированию компонентов, на котором будет занято 300 человек.
А. Л.
