Компания Samsung Electronics объявила о начале строительства второй очереди полупроводниковой фабрики в Хвасеонге (Hwaseong). Это часть объявленного компанией семилетнего плана по расширению производственных мощностей и возможностей для проведения исследовательских работ. По этому плану до 2012 г. на строительство восьми производственных и экспериментальных линий будет истрачено 33 млрд. долл.
Фабрика в Хвасеонге была введена в строй в 2000 г. Она была построена в рамках первой фазы строительства пяти производственных линий и одного здания для научно-исследовательского подразделения. Сооружения располагались на площади в 60 га. Новые цеха займут площадь в 93 га и в них будет занято 5000 человек. Всего на фабрике будет работать около 14000 человек
На новых площадях разместятся экспериментальные линии по производству микросхем следующего поколения – NRD, которые войдут в строй в мае следующего года. Линия NRD спроектирована как чистая комната в чистой комнате, с которой соседствуют офисные помещения для выполнения исследований материалов и создания структур нанометровых размеров и разработки процессов производства памяти и микросхем логики.
На эту экспериментальную линию, которая будет работать на пластинах диаметром 300 мм, будет истрачено 860 млн. долл.
Главная фабрика компании в Гихеунге (Giheung) была построена в 1983 г. После строительства там 15 производственных и экспериментальных линий, началось строительство в расположенном неподалеку Хвасеонге, и комплекс получил название Гихеунг-Хвасеонг. После завершения в 2012 г. строительства он станет самой большой полупроводниковой фабрикой в мире.
Первая линия (номер 15) в Хвасеонге находится в стадии строительства и помещение для нее будет построено в первой половине следующего года. Из восьми производственных линий, которые будут там построены, четыре будут работать с пластинами диаметром 300 мм или более.
А. Л.
